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MMSZ3V3ET1G

MMSZ3V3ET1G

onsemi · 封装 -

参数名参数值
_rohs1
容差±5%
等级-
资质-
_detailUrl/zh/products/detail/rochester-electronics-llc/MMSZ3V3ET1G/12136174
_packaging
安装类型表面贴装型
工作温度-55°C ~ 150°C
_datasheetUrlhttps://rocelec.widen.net/view/pdf/k6gqwpis6g/ONSMS21451-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
封装/外壳SOD-123
功率 - 最大值500 mW
供应商器件封装SOD-123
阻抗(最大值)(Zzt)95 Ohms
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900 mV @ 10 mA
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 µA @ 1 V
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)3.3 V
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付