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CRZ30(TE85L,Q,M)

CRZ30(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage · 封装 剪切带(CT)

参数名参数值
_rohs1
容差±10%
等级-
资质-
_detailUrl/zh/products/detail/toshiba-semiconductor-and-storage/CRZ30-TE85L-Q-M/7809498
_packaging剪切带(CT)
安装类型表面贴装型
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
_datasheetUrlhttps://toshiba.semicon-storage.com/info/CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
封装/外壳SOD-123F
功率 - 最大值700 mW
供应商器件封装S-FLAT(1.6x3.5)
阻抗(最大值)(Zzt)30 Ohms
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1 V @ 200 mA
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10 µA @ 21 V
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)30 V
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付