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PMEG2002ESF,315

PMEG2002ESF,315

NXP USA Inc. · 封装 -

参数名参数值
_rohs0
技术肖特基
等级-
资质-
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
_detailUrl/zh/products/detail/rochester-electronics-llc/PMEG2002ESF-315/13491371
_packaging
安装类型表面贴装型
_datasheetUrlhttps://rocelec.widen.net/view/pdf/3puqcbqoed/PHGLS28761-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
封装/外壳0201(0603 公制)
工作温度 - 结125°C(最大)
供应商器件封装DSN0603-2
不同 Vr、F 时电容25pF @ 1V,1MHz
反向恢复时间 (trr)1.9 ns
电流 - 平均整流 (Io)200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)490 mV @ 100 mA
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏3.5 µA @ 20 V
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)20 V
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付