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PMEG6010ESBYL

PMEG6010ESBYL

NXP USA Inc. · 封装 -

参数名参数值
_rohs0
技术肖特基
等级-
资质-
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
_detailUrl/zh/products/detail/rochester-electronics-llc/PMEG6010ESBYL/13441374
_packaging
安装类型表面贴装型
_datasheetUrlhttps://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/PMEG6010ESB.pdf
封装/外壳2-XDFN
工作温度 - 结150°C(最大)
供应商器件封装DSN1006-2
不同 Vr、F 时电容20pF @ 10V,1MHz
反向恢复时间 (trr)2.4 ns
电流 - 平均整流 (Io)1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)730 mV @ 1 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏30 µA @ 60 V
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)60 V
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付