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PMEG050V150EPD139

PMEG050V150EPD139

NXP USA Inc. · 封装 -

参数名参数值
_rohs0
技术肖特基
等级汽车级
资质AEC-Q101
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
_detailUrl/zh/products/detail/rochester-electronics-llc/PMEG050V150EPD139/12133396
_packaging
安装类型表面贴装型
_datasheetUrlhttps://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/PMEG050V150EPD.pdf
封装/外壳TO-277,3-PowerDFN
工作温度 - 结175°C
供应商器件封装CFP15
不同 Vr、F 时电容1750pF @ 1V,1MHz
反向恢复时间 (trr)51 ns
电流 - 平均整流 (Io)15A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)500 mV @ 15 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 mA @ 50 V
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)50 V
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付