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STPSC5G12B2-TR

STPSC5G12B2-TR

STMicroelectronics · 封装 剪切带(CT)

参数名参数值
_rohs1
技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
等级-
资质-
速度无恢复时间 > 500mA(Io)
_detailUrl/zh/products/detail/stmicroelectronics/STPSC5G12B2-TR/25879492
_packaging剪切带(CT)
安装类型表面贴装型
_datasheetUrlhttps://www.st.com/resource/en/datasheet/stpsc5g12.pdf
封装/外壳TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C
供应商器件封装DPAK HV
不同 Vr、F 时电容380pF @ 0V,1MHz
反向恢复时间 (trr)0 ns
电流 - 平均整流 (Io)5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.5 V @ 5 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏37.5 µA @ 1200 V
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1200 V
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付