规格参数
产品描述
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文档
| 参数名 | 参数值 |
|---|---|
参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | SiC（Silicon Carbide）Schottky |
| 等级 | 汽车级 |
| 资质 | AEC-Q101 |
| 速度 | 零恢复时间 > 500mA（Io） |
| _detailUrl | /zh/products/detail/quest-semi/QSD6HCS65U/22971569 |
| _packaging | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| _datasheetUrl | https://questsemi.com/wp-content/uploads/2025/05/QSD6HCS65U-6.pdf |
| 封装/外壳 | TO-247-2 |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
| 供应商器件封装 | TO-247-2 |
| 不同 Vr、F 时电容 | 421pF @ 0V，1MHz |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 21A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.6 V @ 6 A |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 15 µA @ 650 V |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 650 V |
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付