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参数名参数值
_rohs1
技术MOSFET(金属氧化物)
等级-
资质-
FET 功能-
FET 类型N 通道
_detailUrl/zh/products/detail/alpha-omega-semiconductor-inc/AON6424A/7897899
_packaging
安装类型表面贴装型
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
_datasheetUrl
封装/外壳8-VDFN 祼焊盘
Vgs(最大值)±12V
供应商器件封装8-DFN(5x6)
漏源电压(Vdss)30 V
功率耗散(最大值)2W(Ta),25W(Tc)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A(Ta),41A(Tc)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.7V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)32 nC @ 10 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1900 pF @ 15 V
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付