chipyii.com
IRLR2705TRPBF

IRLR2705TRPBF

参数名参数值
_rohs0
技术MOSFET(金属氧化物)
等级-
资质-
FET 功能-
FET 类型N 通道
_detailUrl/zh/products/detail/rochester-electronics-llc/IRLR2705TRPBF/13504713
_packaging
安装类型表面贴装型
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
_datasheetUrlhttps://rocelec.widen.net/view/pdf/1c9k45xm4x/IRSDS10966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
封装/外壳TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
Vgs(最大值)±16V
供应商器件封装DPAK
漏源电压(Vdss)55 V
功率耗散(最大值)68W(Tc)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A(Tc)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)40 毫欧 @ 17A,10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)25 nC @ 5 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)880 pF @ 25 V
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付