
| 参数名 | 参数值 |
|---|---|
参数名 | 参数值 |
| _rohs | 0 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| FET 功能 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/rochester-electronics-llc/IRLR2705TRPBF/13504713 |
| _packaging | |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| _datasheetUrl | https://rocelec.widen.net/view/pdf/1c9k45xm4x/IRSDS10966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63 |
| Vgs(最大值) | ±16V |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 漏源电压(Vdss) | 55 V |
| 功率耗散(最大值) | 68W(Tc) |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 28A(Tc) |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 40 毫欧 @ 17A,10V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25 nC @ 5 V |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 880 pF @ 25 V |