规格参数
产品描述
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| 参数名 | 参数值 |
|---|---|
参数名 | 参数值 |
| _rohs | 0 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 等级 | 汽车级 |
| 资质 | AEC-Q101 |
| FET 功能 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/bosch/BT1M1200031D7A/29715397 |
| _packaging | 卷带（TR） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| _datasheetUrl | https://www.bosch-semiconductors.com/products/sic-power-devices/sic-discretes-1200-v/sicdiscrete750vto263-7l.html |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA |
| Vgs（最大值） | +20V，-5.5V |
| 供应商器件封装 | D2PAK-7L |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 44.3A（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 10mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 46.4 毫欧 @ 28A，18V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 75 nC @ 18 V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1550 pF @ 850 V |
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付