规格参数
产品描述
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文档
| 参数名 | 参数值 |
|---|---|
参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| FET 功能 | - |
| FET 类型 | P 通道 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/goford-semiconductor/GT042P06T/18701779 |
| _packaging | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| _datasheetUrl | https://www.gofordsemi.com/upload/cn/propdf/GT042P06T.pdf |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 功率耗散（最大值） | 280W（Tc） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 160A（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 305 nC @ 10 V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9151 pF @ 30 V |
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付