规格参数
产品描述
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文档
| 参数名 | 参数值 |
|---|---|
参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| FET 功能 | - |
| FET 类型 | P 通道 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/umw/AO4443/29800064 |
| _packaging | 剪切带（CT） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| _datasheetUrl | https://www.umw-ic.com/static/pdf/89cd35d6fb630d500b1eb577ba7ec6c8.pdf |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Tc） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20 nC @ 10 V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 840 pF @ 25 V |
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付