参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| FET 功能 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/nuvoton-technology-corporation/FK4B01100L/21841366 |
| _packaging | 卷带（TR） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | 150°C |
| _datasheetUrl | https://www.nuvoton.com/export/resource-files/DS_FK4B01100L_EN_Rev1.02.pdf |
| 封装/外壳 | 4-XFLGA，CSP |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 供应商器件封装 | 4-CSP (0.80x0.80) |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 236µA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.8 nC @ 4.5 V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 275 pF @ 10 V |
