参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 等级 | 汽车级 |
| 资质 | AEC-Q101 |
| FET 功能 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/infineon-technologies/AIMBG75R033M2HXTMA1/28005065 |
| _packaging | 剪切带（CT） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| _datasheetUrl | https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/24/49/infineon-aimbg75r033m2h-datasheet-en.pdf |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA |
| Vgs（最大值） | +23V，-7V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7-12 |
| 漏源电压（Vdss） | 750 V |
| 功率耗散（最大值） | 189W（Tc） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.6V @ 5.9mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 27A，20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 37 nC @ 18 V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V，20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1299 pF @ 500 V |
