参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| FET 功能 | - |
| FET 类型 | N 沟道，耗尽型 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/ixys-integrated-circuits-division/CPC5602CTR/655237 |
| _packaging | 剪切带（CT） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| _datasheetUrl | https://www.littelfuse.com/assetdocs/littelfuse-integrated-circuits-cpc5602-datasheet?assetguid=b369bd9a-9757-4f49-b2b0-b130948a73ca |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 漏源电压（Vdss） | 350 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5mA（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 欧姆 @ 50mA，350mV |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0.35V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 300 pF @ 0 V |
