规格参数
产品描述
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文档
| 参数名 | 参数值 |
|---|---|
参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| FET 功能 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/ge-aerospace/GE1208309A1/29421291 |
| _packaging | 零售封装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） |
| _datasheetUrl | https://www.geaerospace.com/sites/default/files/1200v-SiC-MOSFET-GE1208309A1.pdf |
| 封装/外壳 | - |
| Vgs（最大值） | +23V，-15V |
| 供应商器件封装 | TO-247-4L |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 功率耗散（最大值） | 366W（Ta） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 83A |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 13mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 27 毫欧 @ 55A，20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 127 nC @ 900 V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3124 pF @ 500 V |
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付