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ND2012L

ND2012L

Siliconix · 封装 散装

参数名参数值
_rohs0
技术-
等级-
资质-
FET 功能-
FET 类型-
_detailUrl/zh/products/detail/rochester-electronics-llc/ND2012L/13530723
_packaging散装
安装类型-
工作温度-
_datasheetUrlhttps://rocelec.widen.net/view/pdf/v0op7fwe41/SILXS13298-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
封装/外壳-
Vgs(最大值)-
供应商器件封装-
漏源电压(Vdss)-
功率耗散(最大值)-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付