规格参数
产品描述
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文档
| 参数名 | 参数值 |
|---|---|
参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| FET 功能 | - |
| FET 类型 | - |
| _detailUrl | /zh/products/detail/nextgen-components/NC1M120C12WDCU/25935816 |
| _packaging | 托盘 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | - |
| _datasheetUrl | //mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/docus/6536/NC1M120C12WDCU.pdf |
| 封装/外壳 | 模具 |
| Vgs（最大值） | +22V，-8V |
| 供应商器件封装 | 触片 |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 214A（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 40mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12 毫欧 @ 20A，20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8330 pF @ 1000 V |
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付