规格参数
产品描述
相关产品
文档
| 参数名 | 参数值 |
|---|---|
参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | GaNFET（氮化镓） |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| FET 功能 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/wise-integration/WI71060TR/26580853 |
| _packaging | 剪切带（CT） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| _datasheetUrl | //mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/docus/6808/4296_WI71060A.pdf |
| 封装/外壳 | 8-LDFN 裸焊盘 |
| Vgs（最大值） | +6V，-4V |
| 供应商器件封装 | 8-PDFN（8x8） |
| 漏源电压（Vdss） | 700 V |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tj） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 10mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 2A，6V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7 nC @ 6 V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 216 pF @ 400 V |
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付