规格参数
产品描述
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文档
| 参数名 | 参数值 |
|---|---|
参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | GaNFET（氮化镓） |
| 等级 | 汽车级 |
| 资质 | AEC-Q101 |
| FET 功能 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/epc/EPC2202/8598609 |
| _packaging | 剪切带（CT） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| _datasheetUrl | https://epc-co.com/epc/Portals/0/epc/documents/datasheets/EPC2202_datasheet.pdf |
| 封装/外壳 | 模具 |
| Vgs（最大值） | +5.75V，-4V |
| 供应商器件封装 | 模具 |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 3mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17 毫欧 @ 11A，5V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4 nC @ 5 V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 415 pF @ 50 V |
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付