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2N1650

2N1650

General Semiconductor · 封装 散装

参数名参数值
_rohs0
等级-
资质-
_detailUrl/zh/products/detail/rochester-electronics-llc/2N1650/12593412
_packaging散装
安装类型接线柱安装
工作温度-
_datasheetUrlhttps://rocelec.widen.net/view/pdf/c4jg6zyrzi/DGRPS00019-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
封装/外壳TO-111-4,接线柱
晶体管类型-
频率 - 跃迁2MHz
功率 - 最大值20 W
供应商器件封装TO-111
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)3 A
电压 - 集射极击穿(最大值)80 V
电流 - 集电极截止(最大值)100µA(ICBO)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.2V @ 100mA,1A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 500mA,10V
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付