参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | 碳化硅（SiC） |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| 配置 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | - |
| _detailUrl | /zh/products/detail/leapers-semiconductor-co-ltd/DFS540HF12DFC1/24395481 |
| _packaging | 盒 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| _datasheetUrl | https://www.leapers-power.com/action/download?file=/web/uploads/file/20240325/3Kr75mOs116l5Uos39e4bZQ3V804A1fo.pdf |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 功率 - 最大值 | 2140W（Tc） |
| 供应商器件封装 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 680A（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 210mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.9 毫欧 @ 540A，18V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1210nC @ 18V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 34890pF @ 800V |
