参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| 配置 | 2 N 沟道（双）配对 |
| FET 功能 | - |
| _detailUrl | /zh/products/detail/advanced-linear-devices-inc/ALD1101APAL/2414276 |
| _packaging | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TJ） |
| _datasheetUrl | https://www.aldinc.com/pdf/ALD1101.pdf |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
| 漏源电压（Vdss） | 10.6V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 10µA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 欧姆 @ 5V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10pF @ 5V |
