规格参数
产品描述
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文档
| 参数名 | 参数值 |
|---|---|
参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | 碳化硅（SiC） |
| 等级 | - |
| 资质 | AEC-Q101 |
| 配置 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | - |
| _detailUrl | /zh/products/detail/ge-aerospace/GE12090CDA3/23019626 |
| _packaging | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| _datasheetUrl | https://www.geaerospace.com/sites/default/files/GE12090CDA3-1200V-875A-half-bridge-module-datasheet-rev1.2.pdf |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 功率 - 最大值 | 2350W |
| 供应商器件封装 | 模块 |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 875A |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 320mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.19 毫欧 @ 950A，20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 58600pF @ 600V |
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付