规格参数
产品描述
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文档
| 参数名 | 参数值 |
|---|---|
参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| FET 类型 | P 通道 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/interfet/SMP5116/18733690 |
| _packaging | 带 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| _datasheetUrl | https://www.interfet.com/jfet-datasheets/jfet-2n5114-2n5115-2n5116-interfet.pdf |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 电阻 - RDS(On) | 110 Ohms |
| 功率 - 最大值 | 350 mW |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | - |
| 漏极电流 (Id) - 最大值 | - |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 2 V @ 1 nA |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) | 10 mA @ 15 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 12pF @ 10V |
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付