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IS43LQ32640AL-062TBLI-TR

IS43LQ32640AL-062TBLI-TR

参数名参数值
_rohs1
技术SDRAM - 移动 LPDDR4X
等级-
资质-
_detailUrl/zh/products/detail/issi-integrated-silicon-solution-inc/IS43LQ32640AL-062TBLI-TR/17838658
_packaging
存储容量2Gb
安装类型表面贴装型
工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
时钟频率1.6 GHz
访问时间3.5 ns
_datasheetUrlhttps://www.issi.com/WW/pdf/43-46LQ32640A-AL.pdf
封装/外壳200-TFBGA
存储器接口LVSTL
存储器格式DRAM
存储器类型易失
存储器组织64M x 32
电压 - 供电1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V
DigiKey 可编程未验证
供应商器件封装200-TFBGA(10x14.5)
写周期时间 - 字,页18ns
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付