参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | FLASH - NOR |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| _detailUrl | /zh/products/detail/byte-semiconductor/BY25FQM1GESEIG-R/26717431 |
| _packaging | 卷带（TR） |
| 存储容量 | 1Gb |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 时钟频率 | 133 MHz |
| 访问时间 | 7 ns |
| _datasheetUrl | https://www.byte-semi.com/wp-content/uploads/BY25FQM1GES.pdf |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 祼焊盘 |
| 存储器接口 | SPI - 四 I/O，QPI，DTR |
| 存储器格式 | 闪存 |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 存储器组织 | 128M x 8 |
| 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
| DigiKey 可编程 | - |
| 供应商器件封装 | 8-DFN（6x8） |
| 写周期时间 - 字，页 | 150µs，2.4ms |
