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N25S818HAT21I

N25S818HAT21I

AMI Semiconductor Inc. · 封装 散装

参数名参数值
_rohs0
技术SRAM
等级-
资质-
_detailUrl/zh/products/detail/rochester-electronics-llc/N25S818HAT21I/13520644
_packaging散装
存储容量256Kb
安装类型表面贴装型
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
时钟频率16 MHz
访问时间-
_datasheetUrlhttps://rocelec.widen.net/view/pdf/j7cu4lxta4/ONSMS24477-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
存储器接口SPI
存储器格式SRAM
存储器类型易失
存储器组织32K x 8
电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
DigiKey 可编程未验证
供应商器件封装8-TSSOP
写周期时间 - 字,页-
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付